5月20日，美國總統拜登三天亞洲之行的第一站選擇了坐落于韓國京畿道平澤市的三星半導體工廠(chǎng)。拜登在參觀(guān)結束后的演講中說(shuō)，“感謝三星的170億美元投資，美國將會(huì )在得克薩斯州建造一個(gè)像這樣的工廠(chǎng)，創(chuàng )造3000個(gè)高薪崗位。”

手機流暢與否取決于多方面綜合因素，除了處理器、屏幕刷新率以外，內存和閃存規格同樣至關(guān)重要，尤其在安裝和啟動(dòng)應用時(shí)最為明顯。部分朋友認為內存越大越好，8GB肯定好于6GB，12GB肯定好于8GB，卻不知道內存規格的影響同樣重要，同等內存版本的高規格表現也要更好。

外媒《Extremetech》報道，芯片制造的FinFET晶體管技術(shù)是自2011年以來(lái)開(kāi)始使用，但隨著(zhù)節點(diǎn)不斷縮小，FinFET晶體管技術(shù)將被別的技術(shù)取代。臺積電更新技術(shù)藍圖指出，準備好生產(chǎn)2納米時(shí)，就會(huì )轉向納米片 (Nanosheet) 晶體管技術(shù)，英特爾和三星也宣布類(lèi)似計劃。