外媒《Extremetech》報道，芯片制造的FinFET晶體管技術(shù)是自2011年以來(lái)開(kāi)始使用，但隨著(zhù)節點(diǎn)不斷縮小，FinFET晶體管技術(shù)將被別的技術(shù)取代。臺積電更新技術(shù)藍圖指出，準備好生產(chǎn)2納米時(shí)，就會(huì )轉向納米片 (Nanosheet) 晶體管技術(shù)，英特爾和三星也宣布類(lèi)似計劃。

《EEtimes》報告討論臺積電未來(lái)計劃，今年底開(kāi)始3納米量產(chǎn)，確認3納米制程不會(huì )采用納米片技術(shù)。納米片是種環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管，有浮動(dòng)晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布RibbonFET計劃，技術(shù)就類(lèi)似納米片。臺積電預計2納米納米片量產(chǎn)2025年開(kāi)始，但英特爾藍圖是RibbonFET于2024年第三季亮相。三星已在3納米制程轉向納米線(xiàn) (Nanowire) 制程，并宣布上半年量產(chǎn)。

比較臺積電和英特爾量產(chǎn)進(jìn)程，據經(jīng)驗“量產(chǎn)”定義略有不同。英特爾產(chǎn)品上零售市場(chǎng)前，較短時(shí)間就宣布量產(chǎn)。臺積電是向客戶(hù)銷(xiāo)售產(chǎn)品，客戶(hù)自行集成，因此臺積電宣布量產(chǎn)到商用化產(chǎn)品出現需較長(cháng)時(shí)間。

臺積電不會(huì )短時(shí)間內開(kāi)始量產(chǎn)2納米制程，因預定3納米制程將使用較長(cháng)時(shí)間。業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強指出，臺積電3納米制程將成為受歡迎節點(diǎn)，并是長(cháng)節點(diǎn)，會(huì )有大量需求。但從3納米到2納米，因晶體管架構，納米片對提高節能和計算效率有獨特優(yōu)勢，觀(guān)察客戶(hù)產(chǎn)品，要求計算性能更高節能效果者，將首先轉向2納米制程。屆時(shí)臺積電還將與2納米制程一起銷(xiāo)售3納米制程。

三星已在進(jìn)行GAA技術(shù)3納米制程，似乎會(huì )使三星處于領(lǐng)先地位。然而市場(chǎng)分析師認為，太早脫離FinFET可能會(huì )嚇到高通和英偉達等客戶(hù)，因只要有重大技術(shù)轉變，就很可能出問(wèn)題，尤其產(chǎn)量時(shí)，可能刺激客戶(hù)停在FinFET技術(shù)3納米制程，或等到GAA技術(shù)設計更成熟再采用，使臺積電受益可同時(shí)銷(xiāo)售3納米和2納米制程。

盡管如此，逐步脫離FinFET技術(shù)應使芯片晶體管密度和效率顯著(zhù)進(jìn)步。三星指出，與7納米制程技術(shù)相比，3納米的納米線(xiàn)設計晶體管密度提高80%，還提高30%性能或提高50%節能效率。